Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
65A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 8V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
12.2mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th) (máx) a Id
2V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
506 pF @ 15 V
Disipación de potencia (Máx.)
3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-VSONP (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerTDFN
