Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
2.2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
65mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.2V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
14 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
777 pF @ 30 V
Disipación de potencia (Máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
3-PICOSTAR
Paquete / Caja (carcasa)
3-SMD, No Lead
