Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
10A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
12.2mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1.1V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
8.4 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1390 pF @ 4 V
Disipación de potencia (Máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
9-DSBGA
Paquete / Caja (carcasa)
9-UFBGA, DSBGA
