Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
2.2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
82mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
325 pF @ 6 V
Disipación de potencia (Máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
4-DSBGA (1x1)
Paquete / Caja (carcasa)
4-UFBGA, DSBGA
