Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
2.5A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
88mOhm @ 500mA, 8V
Vgs(th) (máx) a Id
1.2V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.913 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
189 pF @ 10 V
Disipación de potencia (Máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
3-PICOSTAR
Paquete / Caja (carcasa)
3-XFDFN
