Parámetro Técnico
Configuración dirigida
High-Side and Low-Side
Tipo de canal
Independent
Cantidad de controladores
2
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
14V ~ 18V
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.8V, 2V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
1A, 2A
Tipo de entrada
Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
650 V
Tiempo de subida/bajada
20ns, 20ns
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-DSO-18-2
