Parámetro Técnico
Tipo de memoria
Non-Volatile
Formato de la memoria
EEPROM
Organización de la memoria
1K x 8
Frecuencia de reloj
100 kHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
10ms
Voltaje de la fuente
4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DIP