Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tipo FET
N-Channel
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
1.6A (Ta)
4A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.8V, 4.5V
1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
34mOhm @ 1A, 4.5V
26mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1.1V @ 250μA
1.05V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
2.9 nC @ 4.5 V
7.5 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
462 pF @ 6 V
1010 pF @ 10 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
1.2W (Ta)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
4-DSBGA (1x1)
9-DSBGA
Paquete / Caja (carcasa)
4-UFBGA, DSBGA
9-UFBGA, DSBGA
