Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tipo FET
N-Channel
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
8 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
3.6A (Ta)
3A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.8V, 4.5V
1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
76mOhm @ 400mA, 4.5V
19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1.3V @ 250μA
1.1V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
1.2 nC @ 4.5 V
6.3 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
156 pF @ 6 V
914 pF @ 4 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
500mW (Ta)
750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
3-PICOSTAR
6-DSBGA (1x1.5)
Paquete / Caja (carcasa)
3-XFDFN
6-UFBGA, DSBGA
