Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tipo FET
N-Channel
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
2.1A (Ta)
3.2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.8V, 4.5V
1.8V, 8V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
180mOhm @ 500mA, 4.5V
35mOhm @ 900mA, 8V
Vgs(th) (máx) a Id
1.1V @ 250μA
1.3V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
3.5 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
200 pF @ 6 V
533 pF @ 10 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
500mW (Ta)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
3-PICOSTAR
3-PICOSTAR
Paquete / Caja (carcasa)
3-XFDFN
3-XFDFN
