Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
100A (Ta)
100A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 28A, 10V
1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.3V @ 250μA
1.8V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
53 nC @ 10 V
64 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4230 pF @ 30 V
9000 pF @ 15 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
3.1W (Ta), 195W (Tc)
3.2W (Ta), 195W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-VSON-CLIP (5x6)
8-VSON-CLIP (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN
