Tecnología
Silicon Carbide Schottky
Silicon Carbide Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
1700 V
1700 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
82A
31A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.8 V @ 30 A
1.8 V @ 10 A
Velocidad
No Recovery Time >500mA (Io)
No Recovery Time >500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0 ns
0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
200 μA @ 1700 V
200 μA @ 1700 V
Capacitancia según Vr, F
2070pF @ 1V, 1MHz
820pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-2
TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃
-55 ℃ ~ 175 ℃
