Embalaje
Bag
Tape & Box (TB)
Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Voltaje - Perturbación del suministro (V(BR)GSS)
30 V
40 V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
-
-
Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0)
-
15 mA @ 20 V
Consumo de corriente (Id) - Máximo
-
-
Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id
-
2 V @ 1 nA
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
14pF @ 20V
16pF @ 20V
Resistencia - RDS (Encendido)
100 Ohms
50 Ohms
Potencia - Máx.
625 mW
625 mW
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-92-3
TO-92-3
