Parámetro Técnico
Configuración dirigida
Half-Bridge
Tipo de canal
Independent
Cantidad de controladores
2
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
10V ~ 20V
Voltaje lógico - VIL, VIH
6V, 9.5V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
3A, 3A
Tipo de entrada
Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
200 V
Tiempo de subida/bajada
10ns, 15ns
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
16-SOIC
