Embalaje
Bulk or Tube
Tube
Configuración dirigida
Half-Bridge
Half-Bridge
Tipo de canal
Independent
Synchronous
Cantidad de controladores
2
2
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
10V ~ 20V
5V ~ 20V
Voltaje lógico - VIL, VIH
6V, 9.5V
0.8V, 2.9V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
3A, 3A
200mA, 350mA
Tipo de entrada
Non-Inverting
Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
200 V
600 V
Tiempo de subida/bajada
10ns, 15ns
130ns, 50ns
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
16-SOIC
8-PDIP
