Parámetro Técnico
Configuración dirigida
Half-Bridge
Cantidad de controladores
6
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
11.5V ~ 20V
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.8V, 3V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
200mA, 350mA
Tipo de entrada
Inverting, Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
600 V
Tiempo de subida/bajada
125ns, 50ns
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
28-SOIC
